ff150rks4b2和ff150r12ks4的一样吗

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2018-08-30 14:02 标签：

北京中兴博瑞科技有限公司经营范围：

英飞凌IGBT模块三菱IGBT模块，西门康IGBT模块西门康IPM智能模块，富士IGBT模块DYNEX丹尼克斯IGBT模块，可控硅晶闸管模块FERRAZ罗兰熔断器，BUSSMANN熔断器SIBA熔斷器，WESTCODE熔断器HINODE日之出熔断器，CONCEPT驱动板ABB变频器配件，ABB驱动板等等！


IGBT的主要参数：集电极电流ICM：表征IGBT的电流容量分为直流条件下的IC和1ms脉沖条件下的ICP。集电极-发射极电压UCES：表征IGBT集电极-发射极的耐压能力目前IGBT耐压等级有600V、1000V、1200V、1400V、1700V、3300V。栅极-发射极击穿电压UGEM：表征IGBT栅极-发射极之間能承受的电压其值一般为±20V。栅极-发射极开启电压UGE（th）：指IGBT器件在一定的集电极-发射极电压UCE下流过一定的集电极电流IC时的小开栅电壓。当栅源电压等于开启电压UGE（th）时IGBT开始导通。输入电容cIES：指IGBT在一定的集电极-发射极电压UCE和栅极-发射极电压UGE=0下栅极-发射极之间的电容，表征栅极驱动瞬态电流特征

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