在尼桑RE4F04A自动变速器中C3、C4、F1三者的关系为什么？

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2022-07-03 10:58 标签： af40变速箱怎么样

所以直接用下面的命令即可:

我遇到的也是这个问题，是啥原因。

看提示应该是要安装autoconf这个工具


这个文件按照网上的回答，前面加减号不管用，直接把后面的@c删除就好了，又一个坑

晕哥，你这个问题怎么解决的

接调试串口看输出信息.

晕哥我继续关注这教程 好久出一个撒？ 那里面的硬解码有攻破么？

你搞掂好，硬件解码没有了？

您好，镜像最终烧录进去了么？我也遇到了同样的问题。用串口0烧录没问题，但是修改了以下sys_confug.fex文件中的串口
然后烧录就成了这样，我用的是串口2

1、【判断题】在模拟电路中半导体器件主要工作在放大（线性区）；数字电路中半导体器件主要工作在开关（非线性区）。

2、【填空题】常见的半导体器件有二极管、（ ）和场效应管。

1、【判断题】数字电路的工作状态主要在开关（非线性）区。

2、【判断题】模拟电路的工作状态主要在放大（线性区）。

3、【填空题】常见的半导体器件有（）、三极管和场效应管。

4、【填空题】常见的半导体器件有二极管、（）和场效应管。

1、【单选题】在绝对零度（0 K）时，本征半导体中（）载流子。

2、【单选题】在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生（）。

3、【单选题】半导体中的载流子为（）。

4、【单选题】半导体中的空穴是（ ）。

A、半导体中的晶格缺陷形成的

B、电子脱离共价键后留下的空位

5、【判断题】本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

6、【判断题】半导体中的空穴带正电。

1、【单选题】N型半导体中的多子是（）。

2、【单选题】P型半导体中的多子是（）。

3、【单选题】在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

4、【单选题】在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） 。

5、【单选题】在本征半导体中加入（）元素可形成N型半导体。

6、【单选题】在本征半导体中加入（）元素可形成P型半导体。

7、【判断题】P型半导体带正电，N型半导体带负电。

8、【判断题】在N型半导体中，掺入高浓度的三价硼元素可以改型为P型半导体。

1、【单选题】在下列说法中只有（）说法是正确的。

A、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得

B、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体

C、 P型半导体带正电，N型半导体带负电

D、 PN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的

2、【单选题】在下列说法中只有（）说法是正确的。

A、 漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的

B、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过

C、PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性

D、扩散电流是少子运动产生的

3、【单选题】当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。

4、【单选题】当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流。

5、【单选题】下列说法正确的是（）。

A、 PN结正偏导通，反偏导通

B、PN结正偏截止，反偏导通

C、PN结正偏导通，反偏截止

D、PN结正偏截止，反偏截止

6、【单选题】当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域？

7、【单选题】一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中（）。

8、【判断题】PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

1、【单选题】半导体二极管的重要特性之一是（）。

2、【判断题】整流电路中的二极管应采用点接触型二极管。

3、【判断题】在高频电路中的检波管通常采用点接触型二极管。

02-02 二极管的伏安特性

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