晶振电路作用|原理|中常见问题-捷配电子通
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　　电容大小没有固定值。一般二三十p。晶振是给单片机提供工作信号脉冲的。这个脉冲就是单片机的工作速度。比如 12M晶振。单片机工作速度就是每秒 12M。和电脑的 CPU概念一样。当然。单片机的工作频率是有范围的。不能太大。一般 24M就不上去了。不然不稳定。
　　接地的话数字电路弄的来乱一点也无所谓。看板子上有没有模拟电路。接地方式也是不固定的。一般串联式接地。从小信号到大信号依次接。然后小信号连到电源处。有变压器就连到变压器旁。
　　数模地分开。分别拉到电源处。
　　不可形成回路。
　　这个是因为晶振与单片机的脚XTAL0和脚XTAL1构成的振荡电路中会产生偕波(也就是不希望存在的其他频率的波)，这个波对电路的影响不大，但会降低电路的时钟振荡器的稳定性。
　　为了电路的稳定性起见，ATMEL公司只是建议在晶振的两引脚处接入两个10pf-50pf的瓷片电容接地来削减偕波对电路的稳定性的影响，所以晶振所配的电容在10pf-50pf之间都可以的，没有什么计算公式。
　　但是主流是接入两个33pf的瓷片电容，所以还是随主流。
　　晶振是晶体振荡器的简称，在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，电工学上这个网络有两个谐振点，以频率的高低分其中较低的频率是串联谐振，较高的频率是并联谐振。由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近,在这个极窄的频率范围内，晶振等效为一个电感，所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路，由于晶振等效为电感的频率范围很窄,所以即使其他元件的参数变化很大,这个振荡器的频率也不会有很大的变化。
　　晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容,就可以得到晶振标称的谐振频率。
　　一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器(注意是放大器不是反相器)的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地,这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容,这个不能忽略。
　　一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。
中常见问题
　　晶振电路中如何选择电容C1，C2?
　　(1):因为每一种晶振都有各自的特性，所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。
　　(2):在许可范围内，C1，C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定，但将会增加起振时间。
　　(3):应使C2值大于C1值，这样可使上电时，加快晶振起振。
　　在石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的应用中，需要注意负载电容的选择。不同厂家生产的石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的特性和品质都存在较大差异，在选用，要了解该型号振荡器的关键指标，如等效电阻，厂家建议负载电容，频率偏差等。在实际电路中，也可以通过示波器观察振荡波形来判断振荡器是否工作在最佳状态。示波器在观察振荡波形时，观察OSCO管脚(Oscillator output)，应选择100MHz带宽以上的示波器探头，这种探头的输入阻抗高，容抗小，对振荡波形相对影响小。(由于探头上一般存在10～20pF的电容，所以观测时，适当减小在OSCO管脚的电容可以获得更接近实际的振荡波形)。工作良好的振荡波形应该是一个漂亮的正弦波，峰峰值应该大于电源电压的70%。若峰峰值小于70%，可适当减小OSCI及OSCO管脚上的外接负载电容。反之，若峰峰值接近电源电压且振荡波形发生畸变，则可适当增加负载电容。
　　用示波器检测OSCI(Oscillator input)管脚，容易导致振荡器停振，原因是:
　　部分的探头阻抗小不可以直接测试，可以用串电容的方法来进行测试。如常用的4MHz石英晶体谐振器，通常厂家建议的外接负载电容为10～30pF左右。若取中心值15pF，则C1，C2各取30pF可得到其串联等效电容值15pF。同时考虑到还另外存在的电路板分布电容，芯片管脚电容，晶体自身寄生电容等都会影响总电容值，故实际配置C1，C2时，可各取20～15pF左右。并且C1，C2使用瓷片电容为佳。
　　问:如何判断电路中晶振是否被过分驱动?
　　答:电阻RS常用来防止晶振被过分驱动。过分驱动晶振会渐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升。可用一台示波器检测OSC输出脚，如果检测一非常清晰的正弦波，且正弦波的上限值和下限值都符合时钟输入需要，则晶振未被过分驱动;相反，如果正弦波形的波峰，波谷两端被削平，而使波形成为方形，则晶振被过分驱动。这时就需要用电阻RS来防止晶振被过分驱动。判断电阻RS值大小的最简单的方法就是串联一个5k或10k的微调电阻，从0开始慢慢调高，一直到正弦波不再被削平为止。通过此办法就可以找到最接近的电阻RS值。
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　　2011年3月ARM公司发布最新集成开发环境RealView MDK开发工具中集成了最新版本的Keil uVision4，其编译器、调试工具实现与ARM器件的最完美匹配。
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7.想实际看看具体的功耗情况
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;A、GM7122在量产的时候不需要使用晶振，但是要求客户在设计的时候预留晶振的位置，方便调试的时候使用，量产的时候让客户自动去掉晶振即可。
1.3.7& &应用客户：晨芯、
& && && && && && && &&nbsp...
主晶振不要外接匹配电容是亮点！
板子调试好了没？
[b]32.768Khz晶振的封装有很多种。先分两种，一种是直插、圆柱的。根据直径大小，分2*6和3*8，就是直径是2mm，高是6mm。
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根据可靠性来分，一般来说，工控行业、汽车电子行业、军工...
。（示波器实在不好意思再去借了。。。）
首先用手摸了下晶振，收发正常，问题，靠近晶振的时候肯定有干扰，（如果问题，摸一下的时候，等效匹配电容什么的肯定会变）然后又扣了下单片机（还是担心虚焊）依然正常，然后柔了下信号线，出现了一次没有收到的现象，然后又正常了..心里一紧，问题多半在这里！但是往各个方向都试了下又不出现故障了，说明线没问题，这个时候我仔细一看，原来焊接信号线的头子往下压的时候就会通过原本...
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这几天调试2440的核心板，发现有的板子32.768K晶振不起振，胡乱的将匹配电容从22P改为47P竟然起振了，就放下了，现在想想到底为什么呢？
通过查阅资料发现，大部分的晶振电路都是用的电容三点式振荡电路，两个匹配电容作为反馈，为电路提供反馈支路，在两个电容相等的情况下，是不会影响反馈系数的，所以个人认为对两个匹配电容的改变是不应该对起振造成影响的，不知道为什么换了电容之后起振了，希望高手指点
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这两个电容没有是不行的，因为石英晶振其实应用的是LC并联振荡电路，两个外部电容其实就是LC振荡回路的C，是需要和晶体形成并联回路的
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通过实验，将32.768晶振的匹配电容增大到44P是起振的速度明显变慢，而且上电时还能听到晶振的叫声，改回22P后就听不到叫声了
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怎大电容后，正弦波的波形好看了
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晶振的选型一般有三个参数，谐振频率、负载电容值、频偏值。
那两个电容值需要与晶振的负载电容值匹配才可以达到晶振最精准的工作状态，一般来说6 G9 q- J" `# M+ i5 I
两个电容串联后的值+板上杂散电容值5PF=晶振的负载电容值，例如晶振负载电容值参数为20PF，则需要两个30PF电容串联后再加上5PF杂散电容值后，得到20PF，满足晶振的负载电容值的要求，这样来说，晶振的频率是准确的。
这两颗电容的值过大，晶振的频率会偏低，过小，频率偏高，所以应当尽量按照晶振的负载电容参数选用。7 D1 B" F8 }+ m, i" X6 l
同一个频率选用多大负载电容值的晶振，有时候需要根据CPU的一些特殊要求选用，可以要求晶振厂家按需求制作晶振。
高手新人回答，支持一下。
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哈哈终于有人发言了，现在一直不明白的是，这两个电容值除了影响晶振的频率，是否对晶振的起振有关系呢？有时候用22P的电容晶振不启动，将22P的晶振换成47P的或换成10P的都能启动，换回22P又可以启动了，现在迷茫的是不知道这个电容到底影响不影响启动呢，通过看电容三点式振荡电路的原理，改变着两个电容的值，如果阻值一样的情况下，是不会改变反馈系数的，我个人认为同时改变两个电容值是不影响电路的起振的，望高手指点
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个人认为电容值不影响起振，只影响频偏。应该是1Mohm的电阻会对起振有影响
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我还是比较同意楼上的观点的，但是做实验的时候发现换成大的电容时，从示波器看振荡波形，起振速度会有明显变慢，输出波形的振幅会慢慢的增大
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晶振分有源晶振和无源晶振。对于有源晶振，是指自己内部集成有振荡电路的，加上电源后自己可以产生波形的，大部分都是默认15pF负载Max的，当负载过大时，波形可能会变形。不过也有一部分产品采用的是大负载的IC，负载可达50pF Max，这种产品一般要单独订做。对于无源晶振，一般也叫晶体。需要有外加的电路才能起振的，所需的负载一般和使用的环境等有关，这多是由电路的设计中决定的，负载小到5pF,大到100pF以上都有。这个负载电容影响晶振的工作频率。
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不一定，要看电路其它参数，有时也可不用配电容的，一般需配电容来调整的电路，并联几P,串联千P以里。
你说的应该是晶振的负载电容吧，这两个电容式可以计算出来的，计算公式我现在传布上来，一般的经验值是20~30pF就可以了
这里面有一个TS值的问题（TS是指负载电容变化一PF产生的频率频差值），理论上讲负载电容越小，TS值越大，所以由于电路产生的杂容而导致的频差也越大，而负载电容太大，对电路来讲要求的激励功率要高，所以最好是取中间值（从目前的晶振生产来讲是18PF左右是较合适的）有机会大家多交流Q
匹配电容应选20至30P之间
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