【图片】说说SSD的那点事——建兴T9 256GB 零售版SSD使用分析手记【固态硬盘吧】_百度贴吧
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说说SSD的那点事——建兴T9 256GB 零售版SSD使用分析手记收藏
说说SSD的那点事——建兴T9 256GB 零售版SSD使用分析手记经常看到一些砖家在百度贴吧在知乎为了SSD测试结果而开撕，我也经常围观，看了两年的撕过来撕过去大致看明白了，基本常规形态分为三种：1、半吊子砖家发文，下面网友跟帖黑产品和人。2、小白发疑问贴，比如我测试分数为什么那么低，然后下面立马站队，一队捧，发高分图，一队黑，发低分图，然后不死不休。3、超级砖家发文，下面一群拜读看不懂飘过的神仙出没。半吊子砖家的利益使能比较严重，所以难免让网友觉得枪，所以被群殴很正常，而且大家喜闻乐见，就跟一卖假药的被打了，一通人叫好一个道理。小白是消费的中坚力量，一发文，这时候厂家和友商都出来了，同行是冤家，这遇到面苦大仇深，基本不撕个1000楼收不了场子。所以流量就这么来的。。。。。喜闻乐见，喜闻乐见。超级砖家太神，说出的理论和济公老佛爷一样，每一个词都得百度半拉天。看的人多，但没人敢说话，好容易来了一个半吊子砖家提个质疑，顿时众家丁打手上前，猛打四十大板倒拖狗腿出午门，临走还给个五毛钱，大兄弟啊，换个地方去混吧，以后别过来我们这了，老大发话了见一次打你一次。于是把，佛爷说好，那下面必须说好，佛爷说不好，那下面妖风四起必须黑一条大街出来，必须伴随着个人崇拜主义歌颂赞美不绝于人前。然后也喜闻乐见，喜闻乐见！以上三种情况为大家的网络生活增添了无数的乐趣。。。。。。最搞笑的还有京东晒单，明明人家卖的是XX牌，然后下面晒单说YY牌如何好。。。。。。但是这以上的一切很少能对SSD有一个相对客观的评价，这是最大的问题，本身随着TLC闪存的普及，MLC闪存的SSD越来越少，SSD的价格越来越低廉，TLC的寿命又很短，使得SSD越来越像一个快速消费的产品，低价位的SSD鲜见到MLC的闪存了，要不就是白片黑片固带，MLC的高价位盘大家又觉得性价比太低，这就造成一个供需的缺口，TLC和MLC白片的SSD价格低廉但是大家忌讳短命和性能不稳定不愿意去买，MLC正片的SSD价格大家不能接受，本鸟也发现一块性价比可以的MARVELL 88SS9187主控+东芝T19nm企业级eMLC正片闪存的SSD产品：建兴睿速T9 256GB零售版，我就以这块盘的使用为例简单说下SSD那点事。
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这个盘去随便找个2-5元的SATA线去凑单，凑500-40的券，凑完之后用各种白条满减，实际成交能做到430元左右。首先包装来说，全白色的包装风格比建兴ZETA系列的红黑配色看起来舒服点，其实就是区别于其他的系列产品而已，这个盘是建兴企业级N9S系列SSD的民用版本。民用版本是256GB容量，如果是企业级NAS或者N9S系列的话就是200GB或240GB容量了。官标是需要注意的参数：256GB持续读最高500MB/S，持续写最高410MB/S，4K随机读80000IOPS，4K随机写75000IOPS。官标了使用原片，三年免费上门维修。建兴的白色个性化贴纸流，全白色的包装下面竟然有一颗黑色的心脏黑色金属拉丝面板型号：T9 256；固件版本:PC803G3直接拆盘。正面三颗闪存一颗主控：主控MARVELL 88SS9187、闪存TOSHIBA TH58TEG9EDJBA89细心的朋友可以看到使用的是建兴N9S系列企业级SSD的PCB，因为PCB上有N9S的字样。反面一颗闪存一颗缓存：缓存NANYA H5TC4G63AFR、闪存TOSHIBA TH58TEG9EDJBA89细心的朋友看图可以发现TH58TEG9EDJBA89四颗其实批号略有不同，不过这种颗粒是东芝10000P/E寿命的企业级eMLC颗粒，比MLC的寿命要长三倍以上。另外PCB右边那一排空焊点是N9S企业级的掉电保护电容位置，民用级产品拿掉了电容。TOSHIBA TH58TEG9EDJBA89是东芝生产的Toggle 2.0 的企业级eMLC闪存，单颗64GB，内部封装是8个Die，每个Die容量为64Gbit = 8GB。每个颗粒有4个CE，采用19nm制程制造。
我精简了一些内容从闪存编号开始解读闪存，让大家了解一下该闪存芯片，其中红色为特别关注内容。①TH58T=东芝TOGGLE模式多层堆叠闪存②E=VCC和VCCQ电压；③G9=512Gbits=64GB④E=eMLC⑤D代表：IO带宽=X8；BLOCK=4M；PAGE=16K⑥J=1Xnm=T19nm，T19nm技术并不是完全的19nm制程，而是24nm和19nm的过渡制程，直到A19nm才是完整的15-19nm的制程工艺，大家都知道，制程越老，颗粒的寿命和质量越好，但是成本越高，现在24nm的MLC颗粒已经绝种了，更不要说企业级eMLC了。⑦BA=BGA封装⑧8=4CE⑨9=TSOP封装形式的大小规格G9是容量，第二个E是闪存类型，J是制程，8是CE和Die数，这样大家看到闪存，就可以推算出效能和芯片类型。Marvell 88SS9187 主控是一颗双核主控，内部集成的处理器为Marvell 88FR102 V5 CPU，支持8根闪存通道，每根通道传输率200MB/s，支持最大1GB的DDR3缓存用来存放FTL映射表。Marvell 88SS9187主控一共支持8通道，每根通道4CE，因此这块板的布局使用了主控的32CE的一半16CE而已，因此要塞满这颗主控的最大容许的32CE，我估计得512GB的盘才可以达到性能最大化。这里是1颗海力士DDR3外置缓存，型号H5TC4G63AFR(512MB），参数1.35V 1600 CL 11，总容量512MB。一般就市场上大部分的SSD来说256GB的SSD使用的是256MB的缓存，这颗T9还是比较另类的，256GB容量使用了512MB的缓存。
AS SSD BENCHMARK是一款大家耳熟能详的SSD测试软件，其实有还有很多其他的测试工具比如TXBENCH，ANVIL，CDM等等，但是其中最被大众认可和接受度最好的还是AS SSD BENCHMARK，说别的软件大家认可度较低，虽然在专业人士眼里看来这个软件纯属娱乐，很多的论坛直接不接受这个测试结果，但是我想说既然一个软件的存在和被热捧必然有其存在的道理，所以我就从这说起：AS SSD这个测试其实有个积分公式：AS SSD总分=0.08x持续读取+0.16x持续写入+2x4k读取+1x4k写入+1.5x4K QD64读取+1x4K QD64写入涉及总分权重的测试部分：高主频CPU对对持续读取 和4K读写测试成绩影响较大，但是这个软件的评分权重我总感觉有点意思，为了淡化CPU强化的项目故意增加了4K QD64读写的对总分的权重，潜意识里有点主捧大深度企业级应用。AS SSD BENCHMARK根据各家SSD的固件算法，和垃圾回收的机制的不同，测试平台不同，测试时间不同，会出现不同的测试结果。
下面我们来分析一个测试现象：平台1：台式机CPU：INTEL I7 5820K主板：华擎X99M KILLER/3.1内存：芝奇TRIDEN Z DDR4 3000 4GBX4显卡：微星GTX980TI GAMING存储：INTEL 730 480GB+建兴睿速T9 256GB电源：酷冷至尊V850系统：WIN7 X64旗舰版驱动：INTEL IRST 14.4节能：关闭软件：AS SSD BENCHMARK测试方法：连续不停测试四次
平台2：联想K29笔记本CPU：INTEL I7 3612QM主板：HM77内存：金士顿DDR3L 1600 8GBX2显卡：INTEL HD4000存储：建兴M6M MSATA 128GB+建兴睿速T9 256GB系统：WIN7 X64旗舰版驱动：INTEL IRST 12.8节能：关闭软件：AS SSD BENCHMARK测试方法：连续不停测试四次
平台3：联想K29笔记本CPU：INTEL I7 3612QM主板：HM77内存：金士顿DDR3L 1600 8GBX2显卡：INTEL HD4000存储：建兴M6M MSATA 128GB+建兴睿速T9 256GB系统：WIN7 X64旗舰版驱动：INTEL IRST 12.8节能：开启软件：AS SSD BENCHMARK测试方法：连续不停测试四次
异是非常大的，所以一般捧的人会选择1009那张图给你看，而黑的人会选择679那个图给你看，其实吧，这还算好的，有人直接找个SATA2的老主板，跑个200分300分给你看的都有。。。。。。所以你就蒙了，同样是人，咋区别那么大捏。简单的说平台越新，CPU越厉害，关闭节能情况下，装上IRST最新驱动，基本都是最高分。下面我用2号平台进行复现性分析。为什么连续测这个盘起伏会那么大呢？这需要监控整个空盘写入的过程，那么就必须要用IOMETER这个软件来复现下。Iometer 为计算机IO子系统所作的工作就如同测力计为引擎所作的工作一样：它测定在可控制的负荷下系统的性能。Iometer 既是工作负载生成器（也就是说，它可以进行输入输出操作，以便增加系统的负荷），它还是一个测量工具（也就是说，它检查并且记录I/O 操作的性能和对系统的影响）。它可以被配置为模拟任何程序或者基准测试程序的磁盘和网络I/O的负载，或者用来产生整个综合的I/O负载。它也可以用来产生并测量单系统或者多系统（网络）的负载。被用来测量和描述：磁盘和网络控制器的性能、总线的带宽和延迟容量、对于附带驱动器的吞吐量、共享总线的性能、系统级别的硬件驱动的性能、系统级别的网络性能。Enhanced Secure Earse：增强型完全抹除，需要SSD支持此指令，让SSD的读写速度回到出厂状态，会抹除所有可用空间。代价是消耗一定的P/E数，因此得视个人使用负载、降速情况，好比以半年、1 年等时间间隔，斟酌执行完全抹除动作。
由于NTFS格式下IOMETER有个预热写入的过程，导致第一个测试数据一出来，盘已经被写满了，所以我采用RAW格式测试，不分区不格式化，做一次完整的Enhaused Secure Earse之后，立即测试。完整的一次Enhanced Secure Earse之后，立即进行一次IOMETER 128K QD32深度的持续写入测试，可以发现当写入数据量超过96%容量后（大约247GB）就会进入被动垃圾回收模式，所以600秒这里有个小跳水，这说明此时固件认为SSD已经填满，再写入数据需要先擦除内部数据，垃圾回收消耗了主控资源。而图线中每隔几十秒就会有个小坑，这是FTL实时写入闪存，防止缓存文件丢失的一种机制，但是如果你连续不停的进行AS SSD BENCHMARK测试，每一次测试必然伴随写入，一次测试几十秒之后，紧跟着一次FTL实时写入闪存的过程，如果这时候你立刻测试AS SSD BENCHMARK，就会加重主控负担，这时候读写速度就会掉下很多来，AS SSD BENCHMARK成绩也会衰减比较厉害，但是你这次测试之后不停的再次测试一次，赶上前面的FTL实时写入闪存的过程已经结束了，正好主控性能回来了，成绩又正常了。这完全是主控固件的机制问题造成的，安全性和性能的平衡性的把握度问题。为什么要FTL实时写入闪存呢？是因为这个盘的缓存是512MB相对来说比较大，为了怕突然的掉电造成数据丢失，所以在持续写入的过程中，会伴随着将缓存中的FTL映射表文件写入到闪存中存储的过程，这样将缓存中的易失性文件变成了存在闪存里的非易失性文件了，这样你如果发生突然掉电了，假如丢了数据也是存在缓存里的掉电之前的最后一笔数据而已。完整的一次Enhanced Secure Earse之后，立即进行一次IOMETER 4K QD32深度的随机写入测试，当写入数据量超过96%容量后（大约247GB）就会进入被动垃圾回收模式，所以800秒这里有个跳水，这说明此时固件认为SSD已经填满，再写入数据需要先擦除内部数据，垃圾回收消耗了主控资源，所以这时候性能会有个降低的过程。4K QD32随机写入的过程中其实也是存在FTL实时缓存写入闪存的机制，我将1000秒的图放大后，就看的这个坑很明显了。按照这个测试结论画出的印证图就是如上所示。那么NTFS格式下写满盘后会出现什么情况呢？NTFS格式下IOMETER有个预热写入的过程，当第一个数据出来的时候，盘已经是完全被写满的，这纯粹是个性能压榨试验，对于民用无任何价值，只为了研究主控的垃圾回收机制作为参考而已。完整的一次Enhaused Secure Earse之后，分一个区NTFS格式化之后，立即进行一次IOMETER 128K QD32深度的持续写入测试，基本和上面的测试结果一致，几乎没有衰减，可以说128K QD32的持续写入效能还是非常稳定的。完整的一次Enhaused Secure Earse之后，分一个区NTFS格式化之后，立即进行一次IOMETER 4K QD32深度的随机写入测试，由于这时候激进的垃圾回收机制生效了，此时固件认为SSD已经填满，再写入数据需要先擦除内部数据，垃圾回收消耗了主控资源，所以出现10000IOPS和600IOPS两条密集线，600IOPS这条就是激进的垃圾回收消耗主控资源造成的，垃圾回收之后恢复到10000IOPS左右，然后再回收再恢复这样循环下去，于是形成了两条密集线。
前面我们提到了96%容量写满之后，该盘的4K随机写入效能会产生衰减，那么我把盘填充到了98%写满的状态，我们看看实际的应用体验如何。空盘和98%满盘的区别是什么？最大的区别是4K QD1写入的衰减，大约衰减了28.4%4K QD16写入衰减了12.7%，4K QD32写入衰减了9%。
金士顿固态硬盘 采用四通道 Marvell 控制器,带来极致速度和高于机械硬盘的性能外形小巧,7mm纤细身材,合金材质,120GB到960GB多种存储容量可选
好文～～比那些简单粗暴的有营养
然而不会买
多学学浦科特卖高点价钱吧，这样大家返利也舒心点
二代i7用了会有哪些功能欠缺？
围观！t9没有500G的可惜
其实以上的测试的价值就在于再次印证一个机制，确实4K写入速度会在96%满盘之后会有个衰减过程。但是这个衰减影响你的应用么？那么实际的拷贝速度有区别么？FASTCOPY，是最客观直观的磁盘之间传输速率的测试软件FASTCOPY 从M6M 128GB往T9 256GB写入3.262GB的ISO数据的速度，区别是衰减了10%。FASTCOPY 从T9 256GB读取3.262GB的ISO数据往M6M 128GB写入的速度，没有任何区别，299.6MB/S，原因是M6M 128GB的写入速度极限就在299.6MB/S，瓶颈了而已。这所有的数据衰减对于民用范畴其实并没有意义，只为了证明一些固件的机制而已，放在家庭使用来说，这盘0%和98%容量下的性能差距不会影响你的使用感受,因为区别主要是4K随机写入的性能，都写到了96%以上的容量了，你还想怎么写？
通过CDI和HDD TOOLBOX这个软件可以发现，该盘的使用温度还是相对稍高一点的，不过这可能是eMLC颗粒的特性决定，具体的SMART信息目前无法完整读取。上面这个工具是neeyuese根据SMI TOOLBOX修改定义之后整合而成的，能够完整显示建兴T9系列SSD的参数。为了得出这盘的实际寿命参数我用了前所未有的暴力写入手法，36小时的1M QD32 随机写入，这是相对最暴力的测试方式了，普通用户一年不关机的使用都不见得比得上这个测试对寿命的消耗。当然也不建议普通用户做如此暴力的测试。B1这个值，定义为闪存写入量，单位是SSD容量/1000，就是说256GB的SSD这个单位就是256MB。那么图中这个值为90225，就是说闪存磨损了90.225个P/E，然后再看前面的97，出厂全新时这个值是100，现在跌了3%到了97%。（90.225个P/E）/（1-97%）=3007.5个P/E这个数据应该就是比较接近的这个SSD的闪存颗粒寿命，3000P/E正儿八经的MLC寿命，并没有在固件里设定10000P/E的eMLC寿命，估计要达到10000P/E还得等下一个版本的固件更新，不过据说PC803G5新固件明确定义10000P/E了，本人官网还未找到下载，有刷了G5固件的玩友可以跟帖交流。颗粒实际的写入量是多少呢？90225 X（SSD容量256GB/1000）=23097GB主机写入量呢？MB/GB这样写入放大倍数就被计算出来了：写入放大倍数=颗粒实际的写入量/颗粒实际的写入量=23097GB/19520GB=1.183这个数据还是非常标准的，没有夸张的写入放大。SSD一般半年一年之后，你感觉写入掉速的情况下，一般做一次完全抹除就可以回到出厂状态，恢复性能，虽然T9并不是那种掉速盘，但是由于T9的抹除具有一定的特殊性，所以顺带说一下T9的抹除方式。Secure Earse：完全抹除，让SSD的读写速度回到出厂状态，会抹除所有可用空间，拯救速度的代价是增加1次写入损耗。因此得视个人使用负载、降速情况，好比以半年、1 年等时间间隔，斟酌执行完全抹除动作。Enhanced Secure Earse：增强型完全抹除，需要SSD支持此指令，其他特点同上。目前的建兴T9系列零售版SSD必须要做Enhanced Secure Earse，目前的PC803G3固件做Secure Earse是无效的。
软文写的不错，看之后买上买了闪迪
想给MacBook Pro换一个ssd.看到淘宝有卖家说整机拆装下来的，通电时间不到一个小时，靠不靠谱啊？听说通电时间和次数可以刷零，那么有什么方式可以鉴别是不是翻新得ssd或者是不是原装的吗？本人小白，请大神科普一下
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【台电T9高颜值移动电源评测】高颜值～高芯能～高可用～移动电源的首选
1732浏览 / 4回复
大家好! 我是蛮牛士。非常感谢大家支持我的“台电T9高颜值移动电源评测”，帮忙顶下贴吧！万分感谢！！！& & T9移动电源（三种款式）凭外观欣赏，都非常青春时尚，充满活力激情，自我奔放；德国设计师设计，产品电芯强劲，聚合物锂电池安全稳定；外形超薄，携带方便；双USB，2.1A输入可广泛应用于、、等，兼容99%数码设备，厂商承诺一年换新。& & 三种款式都非常漂亮，我个人喜好（上一图T9-B），象征“自我奔放”的冰橙，给人一种冷静的感觉。另外为更好展示T9系列的评测，借来了其他两款产品(T9-G和T9-R)。一、开箱：& & 商家很有心，简约的包装盒内放了2个真空袋，防止路途颠簸。& & 刚拆箱的T9-B：& &&& & T9-B所有配件一览：& && && & T9包装盒正面(直接登机，可充4.7次)：& && && && && & T9包装盒侧面（产品信息、功能特色）：& && && && && & T9包装盒背面：& && &二、外观实拍（T9采用最好的高效防阻燃的外壳，每一款都非常漂亮）&&T9-G正面T9-G背面&&T9-R正面T9-R背面T9-B正面T9-B背面& &T9-G与银行卡对比电源输出输入接口，可双USB同时输出T9-G背面产品参数、序列号T9-G给平板供电三、性能实测，“T9-R”VS“小米电源10040mAh”& & 产品数据对比：VS& & 数据对比，T9电源略胜小米电源一筹。下面进行充放电测试对比：& & T9-R移动电源充满电后，续充2小时，USB测试仪复位，额定电压显示为5.03V。VS& & 小米移动电源充满电后，续充2小时，USB测试仪复位，额定电压显示为5.09V。& & 第一阶段：以生活使用进行测试，T9-R电源给台电平板X98 AIR 3G进行充电,电压4.85V,电流1.64A，输出330mAh。VS& & 小米电源则给台电平板X98 PRO进行充电,电压4.91V,电流1.61A，输出6mAh。& & 第二阶段：1.5小时后，T9-R的电压4.91V,电流1.48A，输出4920mAh；与第一阶段对比，电压增高0.06V，电流下降0.16A，充电过程数值波动属于正常范围，不必担心。VS& & 小米电源放电相对较慢，2小时候后，小米电源的电压4.89V，电流1.39A，输出3060mAh；与第一阶段相比电压下降0.02V、电流下降0.21A的数值波动，不影响使用。& & 第三阶段：3小时后，T9-R电源指示灯熄灭，若用手摇一下还是会小充一下，说明电源有过放保护，小部分电源被保留不释放。最终平均数据是：电压4.91V,电流1.61A，输出7144mAh。VS& & 4个小时后，USB测试仪屏幕、指示灯熄灭，小米电源也有过放保护，小部分电源被保留不释放。按下小米电源按钮，USB测试仪显示电压4.98V,电流0.94A，输出5964mAh，对比之前的电流小了很多，说明处于电源耗尽状态。& & 放电后，对T9-R移动进行充电，充电器是5V、2.5A；USB测试仪最终显示输出11024mAh、0.00A表示电源已满不再充电，用时3小时左右，充电器记录的输出数值不能代表实际充入，因为整个充电过程中电源指示灯、测线仪、数据线都是有消耗的，不是100%充入，另外充电器2.5A电流也是一个因素：电流过大损耗也大，因此可以非常肯定T9-R电源容量绝对在10000mAh或以上。VS& & 同样，给小米电源充电，用的充电器是5V、2.5A；USB测试仪最终显示输出10022mAh、0.00A；充电耗时要比T9久，用时4小时左右。按常理分析，标示10400mAh小米电的锂电芯或可能性能下降，或者其他情况原因。小结：&&& & T9-R测试耗时6-7小时左右，由上述测试获得的数据,计算电源转化率：[(7144mAh * 4.91V) / (10000mAh * 3.7V)] * 100% = 94.80%& & 小米电源测试耗时8-9小时左右，由上述测试获得的数据,计算电源转化率：[(5964mAh * 4.98V) / (10400mAh * 3.6V)] * 100% = 79.33%&& & 可能大家会有疑问，为什么这里是3.6V而不是3.7V？数值来之小米电源底部标注额定3.6V。一般同类产品都是3.7V，唯独他是3.6V，奇葩不解！& & 以上外观、性能对比，另外小米电源比T9入手早3个月左右，都可以正常使用，数据仅供参考，T9小胜小米电源。& & 市面上大部份移动电源产品的转化率一般都在75%-85%之间，85%已算高品质，极少数达到90%以上。不想夸大其词，参考下图的2014年度中关村13个移动电源转化率排行榜：衔接：& &T9实测的数据，可以排在第一，当然实测环境、测试设备等不一样，数据对比仅作参考，可以非常肯定T9高效的电源转化率绝对属于业界极品。四、点评:& & 电芯是移动电源组件的核心，目前移动电源电芯主要有两种：18650和聚合物，其中18650成本比聚合物低，所以目前大多数移动电源厂商采用的是18650电芯，且18650电芯易鼓易坏寿命短等情况，而聚合物电芯比18650电芯安全可靠，同样成本比18650贵，T9采用的是国内一线品牌的聚合物锂电芯；同时拥有强劲的电芯性能，实测电源转化率94.80%，远超业界标准；在材质上T9采用最好的高效防阻燃的外壳，并且外壳绚丽多彩、青春时尚；产品内外兼修“安全、实用、时尚”，是不折不扣点一款“靓（良）品”。& & 最后展示轻轻摇一摇，4个指示灯即亮：T9-G为黄色、T9-R为蓝色、T9-B为橙色，轻便灵巧，握在手里的质感非常棒！是一款不折不扣的好电源。T9-GT9-RT9-B结束语：& & 台电这款新品T9摇一摇移动电源，创意“范特西”，不但颠覆行业，而且颠覆了自己以往的产品设计，又一次超越自我。T9系列移动电源，不仅拥有高颜值的外观，象征青春活力自我；并且电芯性能强悍，电源转化率高；更难能可贵的是采用德国产品设计理念构思，品质安全稳定值得信赖；实在是一款居家旅行、游戏娱乐、保驾续航、馈赠亲友的必备神器！！！非常感谢，顶下贴吧！
传说中的前十。
本来我决定不会在社区回任何帖子了，但是看了你的帖子，我告诉自己这个帖子是一定要回的！
同等条件的配件，我更喜欢DOCA多嘉的移动电源！我买的就是d566,时尚美观又还用!
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EkingT9使用经验和拆机图----揭秘T9的真面目
2554浏览 / 110回复
&&&& 2012年2月底购入T9,开始的使用自带Win7盗版操作系统,基本正常,除了触摸屏经常跳动以外基本可以正常使用,后来看官方宣传可以装多个系统,后来加入他们的QQ群咨询:得出的结果是Android驱动没能开发出来,所以即使能安装Android x86版本,也不能正常使用.所以只能等待Windows8了,因为Win7的触控效果真的很差,而且T9本身只能支持2点触控.&&& 2月29日微软发布 Window8 CP版本,第一时间安装上以后,好不容易装全了驱动,发现重力感应失效,屏幕经常闪屏,也就只能将就着用了.&&& 6月1日,Windows8RP版发布之后就更新到最新版的操作系统,发现问题更为严重,网卡不能驱动,意味着这台平板不能上网了,还有重力感应依然失效,很无语啊,后来到官方寻求帮助,得到的答案是等待硬件厂商出新版驱动或者等待Window8新版更新.后来莫名其妙的问题出现了,开机不小心碰下左下角就待机了,变成黑白色了(忘了说T9的摄像头是倒着的,这就意味着你拍得照片或者视频都是反的,这是极低级的错误啊),&&& 本想打算寄回厂家维修,结果他们的态度让我放弃了这个打算,不是硬件的损坏,就自己拆开查找原因,结果就有了下面的拆机图(自动待机的问题解决了,但是摄像头依然是坏的)去广讯通的官方群里面咨询了一下是否能够购买摄像头的板自己更换,结果他们不给卖,得知我自己拆机后竟然把我T出了官方群,木有办法的情况下:只能将本人的经历分享出来,希望大家对广讯通的T9有一个客观正确的了解,不要太相信官方的吹嘘宣传.下面是拆机图(晚上用拍的,先将就下吧,下次用相机重拍)1、这是后盖,拆机很简单，只需从这个黑色塑料的地方往后推动即可打开后盖,这让人很担心啊，一个螺丝都没有,万一摔一下就四分五裂了:2、打开后盖可以看到两块电池是用胶带粘在一起的，还有上也是大面积的胶带啊,还有主板上少一个螺丝(赤裸裸的山寨风格):2、打开后盖可以看到两块电池是用胶带粘在一起的，还有主板上也是大面积的胶带啊,还有主板上少一个螺丝(赤裸裸的山寨风格):3、再看吧,上方是喇嘛,乱七八糟的线,乱七八糟的胶带,还有CPU的散热片上还有很多指纹印,这不是我的，是买的机器上面就带着指纹印了，下面有个螺丝是缺少的,事实是下面根本没有可以上螺丝的地方.4、看到了吧,电池跟主板的连接处,四根粗线是跟主板焊接在一起的,可悲的是焊接的技术还一般啊,还有喇嘛线,电源线,麦克风线都是焊接在主板上的，一个字"乱"！5、继续看吧,不想再描述.6、这个是上下音量键和前后摄像头的小板,摄像头坏了(这个倒无所谓了,因为这个东西根本就不能用来照相,比山寨手机的照相机都差很多呢).7、下面是T9的电池 标的是4700毫安的,说实话,这个T9的续航还是不错的,能看两部电影吧(看高清的费劲).8、又是一堆的乱线,这里的3G网卡被我拿下了!有个缺口.9、这是和Wifi的天线,3G网卡型号是华为的 EM770 ,不支持GPS.OK了，写完了,但愿厂家不要找我麻烦,我这是揭露了真相啊.
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